旋转式涂覆设备通用规范_SJT11183-2022.docx

ICS31.550CCSL95中华人民共和国电子行业标准SJ"111832022代替SJ/T111831998旋转式涂覆设备通用规范Generalspecificationforspincoater2023-01-01 实施2022TO-20发布中华人民共和国工业和信息化部发布要:和 5. 2,1998弋验方法（1. 1和2, 199增加了热盘;增加了设备水平修改了检验项目（见6修改了产品标志（见7.1.1, 1998i.3和&2X，4 和 6*）15）；和 6.6）；删除了要和 5. 3, 19984. 5 和 5. 4）1998版的5.S98版元和冷盘单元的定义（见第（见1998版的第4章）；5. 1）：.2）：119 5. 11.要求改为了真空吸附承片台真空要求（见4. 7. 5,上求（见 4. 7. 6, 1998 版的 5.11.6）；法（见1998版的5.护与气保护气欠压保险方法（尘要J的转i其试验方法（见1998版的5.11. 8+覆设备、旋转涂式涂覆单 勺第3章）；5. 11.5）；.9、5.6. 8 和 5.6.9）；三LX.-A刖百本文件按照GB/T1.1-2020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。本文件代替SJrr111831998匀胶设备通用规范，与SJb111831998相比，除编辑性修改外主要技术变化如下：修改了标准的范围（更新了引用文件修改了基片才元、预请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SACrrC203）提出并归口.本文件起草单位：沈阳芯源微电子设备有限公司、中国电子技术标准化研究院.本文件主要起草人：宗润福、徐春旭、刘正伟、冯亚彬。本文件所代替标准的历次版本发布情况为：SJ31931989；SJZT111831998.旋转式涂覆设备通用规范1范围本文件规定了旋转式涂覆设备的术语和定义、要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存。本文件适用于泛半导体彳设备（以下简称设备）。第1分、码规则章时间的验证试小猱爨攀的引用文件,其通用技颜色器和操失效率与IrX01() 198油气安全桶i识别招酶DO8-20081标牌半导体材料术语面标志标识的基本和安全规则藏冷恒定失效率假类工效学工作岗位尺寸设计原则及其安全设计通则风险评估与风和设备发射的暝200820082规范性引用文件下列文件询 仅该日期对摩供 文件。GBmGB GB 验方案GBI5 GBGB GBGB/T GB/T GB/T GB/T GB/T157017248.量现场简易法GB/T 25915.12010GB/T 29845 2013 半导体制SJ/T 1552电子工业专用设备机械装配技术要求SJ/T 1635电子工业管路的基本识别色和识别符号SJ 20385A-2008军用电子设备电气装配技术要求,注日期的引用文件, 修改单）适用于本利指定位置发射声压级的测巴洁净度等级、运输、拆包及安放导则3术语和定义GB"142642009界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1晶片slice半导体工艺中的晶片，从半导体晶体切取的具有平行平面的薄片。来源：GB/T142642009,3.2233.2旋转式涂覆spincoating在高速旋转下，利用离心力和液体表面张力使胶液均匀地涂覆在晶片上的工艺过程。3.3旋转式涂覆设备spincoater用于完成光刻胶或其他胶侦液体的涂覆工艺以及烘烤工艺的设备。3.4旋转式涂覆单元spincoatingunit完成旋转式涂覆工艺过程的工艺单元。3.5预处理单元adhesionunit在旋转式涂覆前预涂增粘剂并进行烘烤以增强晶片和光刻胶附着力的工艺单元.3.6热盘单元hotplateunit对晶片进行烘烤并使光刻胶固化的工艺单元.3.7冷盘单元Chillplateunit对晶片进行冷却处理的工艺单元。3.8承片台chuck用于承载晶片，并利用真空或机械夹持机构固定晶片，带动晶片同步旋转的部件。4要求4.1 使用条件4.1.1 作业环境设备应在黄光洁净室内进行旋转式涂覆工艺制程的生产作业,洁净室应符合下列条件：a）洁净度：优于GB/T25915.1-2010规定的ISO6级要求；b）环境温度：20oC25P：c）相对湿度：40%60%.4.1.2 电力条件电源应符合GB5226.12008中4.3.2的规定，额定电压为380V±38V（三相）或220V±22V（单相），频率为50Hz±lHz.4.1.3 供气条件设备所用气源应符合表1中的规定。444444444设备所用循环冷却水和去离子水应符合表2虫的规定。序号其它要求0. 15 MPa-0. 3 MPa与进口压力差20. 1 MPa去a0. 35 MPa2的图样及制造。灯的颜色A清睁J按钮管夹固定。设均匀，表面不得有较明显显示屏、仪表、开关等面板上的元器件应布置合理，方便操作.整机标识、铭牌、说明牌、指示牌等应放置在明显位置，便于观看和识别。222222222123456 7823遁的涂色1的规定。规定。具有质!寒瘫2的规定。外露部分应布置紧凑、排列整齐，不应有折会等现制、平稳，动作应准确、协调；设备各固定部位外观要:3.1设备外观包恬.的机械损伤，如凹陷、44443.23.33.43.5设备外表面喷漆颜由应均 金属镀覆及化学处理的察流挂、起泡或划伤等缺陷。不、锈蚀、起泡、脱层、烧结等缺陷。表1供气条件序号供气种类压力范围流量范围(/路)其它要求1真空(VAC)-80kPa-100kPa30LZmin-2干燥压缩空气(CDA)0.6MPa0.7MPa才120L/min净化等级GB/T13277.120082213工艺氨气(PN2)0.5MPaO.6MPa3OImin高纯氮GB/T897920084.1.4供水条件4安全要求4.1设备安全设计措施、安全防护措施及使用信息应符合GBfT15706-2012中第6章的规定。4. 2设备生产区域内工作岗位的设计应符合GB/T14776-1993的规定。4.3设备要有接地螺钉及接地铜排，并应设置明显接地标志。设备内接地线任何量测点与接地铜排间量电阻不大于0.1o4.4.4在动力电路和保护联结电路间施加直流500V电压时，绝缘电阻不应小于1MC。4.4.5在动力电路和保护联结电路间施加交流200OV电压，测试Imin,无击穿放电现象。4.4.6设备使用的按钮、指示灯、警示灯应符合GB5226.1-2008中第10章的要求.4.4.7应在设备运动区域、高温区域、有化学品泄漏危险的区域、电控系统区域等危险部位的醒目位置粘贴警示标识。4.4.8设备应有可靠的废液、废气排放装置，以及相关的安全报警装置。4.4.9旋转式涂覆单元应有送风过滤装置（FFU）.4.4.10设备产生的噪声声压级应不大于75dB（八）。4.5保护与报警功能4.5.1 设备应有真空保护功能。当真空度高于或低于设定值时，设备应立刻报警，提示故障问题，并停止运行。4.5.2 设备数据记录系统应具有不间断电源（UPS）保护。4.5.3 设备应有温度监控及报警功能。热盘、冷盘等带有加热功能的单元应有独立的过温保护器，避免温控系统失效而产生危险。4.5.4 设备中使用的液罐应有液位监控及报警功能。4.5.5 5.5设备中有化学品泄漏风险的区域应有漏液监控及报警功能。4.5.6设备运动部件应有超限位报警与硬限位保护功能。4. 5.7设备应有紧急停止按钮（EMo）,且在设备的操作区域内每间隔3m就应有一处紧急停业按钮。4.5.8设备应有必要的安全互锁功能。4.6 设备显示装置要求4. 6.1设备应有工艺配方、烘烤温度、烘烤时间、主轴转速的显示装置。5. 6.2设备应有真空度的显示装置。6. 6.3设备应有气源压力的显示装置.7. 6.4设备应有故障显示装置.4.7 性能要求4.7.1主轴转速根据晶片尺寸及工艺要求，主轴转速的最大值一般为10000r/min；其主轴转速设定范围在50r/min-10OOOr/min；主轴转速应能调节，其最小调节单位应达到IOMnim主轴转速稳定性误差为÷2rmin主轴转速具体数值在产品标准中规定。4.7.2主轴旋转加速度主轴旋转加速度的最大值一般为50OOOrpm/s；其主轴旋转加速度设定范围在1OOOrpm/s50000rpm/s；加速度误差应不大于±5%。其具体数值在产品标准中规定。4.7.3主轴精度（主轴装配精度）主轴端面跳动误差不大于0.02mm,径向圆跳动误差不大于0.04mm。4.7.4真空吸附承片台与晶片接触面真空吸附承片台与晶片接触面直径应不小于晶片直径或方形晶片内切圆直径的40%。4.7.5真空吸附承片台真空当真空吸附承片台吸附晶片时，真空值应在-50kPa-75kPa之间；空教时真空吸附承片台真空值应在OkPa-25kPa之间。4.7.6滴胶质量滴胶嘴的位置应能调节；由泵提供的滴胶量应可调节；当各设定参数不变时，滴胶量应恒定，允许误差为±0.2mL<,4.7.7膜厚给设备输入不同的参数，晶片.上所涂胶膜厚度随之做相应的改变；当光刻胶、甩胶速度、加速度、时间、滴胶量及温度均不改变时，片与片之间膜厚误差在土5%以内。4.7.8热盘、预处理单元温度性能热盘、预处理单元温度范围一般在50oC-180oC之间在50°C120.0之间温度均匀性为±1；在120.1OC180.0OC之间温度均匀性为土2C4.7.9冷盘单元温度性能冷盘单元温度范围一般15oC30oC之间，温度均匀性为±0.2oC<,4.7.10设备水平度设备关键单元安装面水平度不大于0.05mm/m；真空吸附承片台表面、热盘单元上盘面和冷盘单元上盘面水平度不大于0.05mm/m。4.7.11去除晶片边缘光刻胶的设备可设置去除晶片上、下边缘光刻胶装置；晶片上边缘光刻胶去除宽度一般在0mm2mm范围内可调,去除后光刻胶沿线应整齐,无毛刺;去除晶片下边缘光刻胶的装置应能将晶片背面清洗干净。4. 7.12工艺配方设备应能按设定的工艺配方自动完成旋转式涂覆的工艺过程，工艺配方设定至少包括：旋转式涂覆及甩干、旋转式涂覆后软烘、晶片冷却控温等程序，各程序设定时间应在(0999)s范围内连续可调。通过杳询程序的H志文件，应能跟踪每片晶片的工艺过程及其工艺参数等内容.4.8可靠性要求设备平均失效间隔时间(MTBF)应不小于300h1,设备平均维修时间(MTTR)应不大于4h。5试验