GB_T8553-2023晶体盒总规范.docx
ICS 31.140CCS L 21OB中华人民共和国国家标准GB/T85532023代替GB/T85531987晶体盒总规范Genericspecificationforenclosuresforcrystalunits20230907 发布2024-01-01实施国家市场监督管理总局寿布国家标准化管理委员会发布本文件按照GB/TL1-2O2（K标淮化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草.本文件代答GB/T85531987晶体盒总规应，与GB/T8553-1987相比.除结构调整和编轼性改动外，主要技术变化如下，a）删除了材料的技术要求和试物方法（见1987年版的3.2hb）增加TSMD封装、网登封装型式的晶体盒内容见4.6.2.2b）3.6.2.3.2,4.73.8.1.33.8.2.3.4102.2<.12122、表2、表3>c）增加了外观、涂庾层厚度要求和试验方法（见4.3），d）增加绝缘电阻的要求（见44）e）增加了抗折强度的要求（见4.7），D增加广封装后茶座气密性的要求（见4.9）g）增加环境有害物质限量要求（见第6章）.请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出.本文件由全国Jl率控制与选择用压电器件标准化技术委员会（SAC/TC182）归口.本文件起草单位：潮州三环（集团）股份有限公司、苏州工业园区甯展封装技术有限公司、深圳市麦捷薇电子科技股份Tr限公司.本文件主要起草人I邱基华、陈炳龙,樊应县.本文件及所代替文件的历次版本发布情况为：1987年首次发布为GB/T85531987本次为第一次修订.晶体盒总规范1范围本文件规定了石英信体元件用悬体盒的术语和定义、技术要求，试Ift方法、包装、标志.储存和运输.本文件适用于石英晶体元件用晶体盒，包括基座、光罩、引线、焊脚等部分.2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件.GB/T2421-2020环境鼠验概述和指南GB/T2422-2012环境试验试验方法编写导则术语和定义GB/T 2423.32016GB/T 2423.172008GB/T 2423.22-2012GB/T 2423.232013GB/T 2423.50-2012 速试验GB/T 2423.602008 装件强度GB/T 2828.12012环境鼠验第2部分:试验方法试验Cab：恒定湿烙试验电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验Ka,盐雾环境试验 环境试验 环境试验第2部分I试会方法第2部分，试验方法第2部分：达毅方法试验、温度变化H验Q：密封试验Cy：恒定湿热 主要用于元件的加电工电子产品环境试脸 第2部分，试睑方法 试的U,引出端及整体安计数抽样检验程序 第I部分:按接收质身限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB/T 2829-2002GB/T 55932015GB/T 16921 2005GB/T 26572 2011周期检验计数抽样程序及表（适用于对过程稳定性的检验）电子元器件结构陶爰材料金属层整盖层厚度测fitX射线光谱法电干电气产品中限用物质的限fit要求IEC6OO68-2-2Ot2O21环境试验第2-20部分：试验试验Ta和Tb：有引线器件的可理性和耐燥接热的试验方法(EnVirOnrnentaltestingPart2-20»TestsTestTaandTb：Testmethodsforsol-derabilityandresistancetosolderingheatofdeviceswithleads)3术语和定义GB/T24222012界定的以及下列术语和定义适用于本文件.3.1蓦座base：package；PKG晶体盒底部起支撑和密封作用的基体.3.2壳罩Covcrtlid晶体盒顶部起覆盖和密封作用的款.3.3金属晶体盒meUlenclosureforcrystalunits使用金属作为M座材质的封装形式.3.4玻璃晶体盒assenclosureforcrystalunits使用玻璃作为基座材质的封装形式.3.5安晶体盒ceramicenclosureforcrystalunits使用网flt作为基座材质的封装形式.3.6绝缭电阻insulationresistance基座不同导通线路之间在一定条件下的直流电阻.4技术要求和试监方法4.1 通则各项要求应符合本文件的规定.若本文件的要求与详细规他不一致时,应以详细规范为准.4.2 设计和结构4.2.1 技术要求4.2.1.1 晶体食晶体盒及写部件的设计、结构和几何尺寸应符合详细规范的要求.必要时按照客户提供的图纸要求.4.2.1.2 克翼光罩的设计应与对应型号的茶座相匹配，任何一批相同型号的光罩与对应的茶座应易装配并且具有互换性.<2.1.3零部件晶体盒所有彳部件均不应有可见裂纹,但对于金属或玻璃晶体盒,允许在玻璃边缘薄边处存在对性能无害的细微裂纹，但不准许导致产品性能不良的外观缺陷.4.2.2 试验方法用符合测垃精度要求的*规R具检查信体盒零部件的所有尺寸，也可以用影像仪或其他濡足测身精度的仪器测定其尺寸.用玻璃、陶登组成的零部件应在明亮光线下,用至少10倍放大镜或影像仪检表所有零部件的4.2J,3所述缺陷是否在详细规范或客户要求允许的疱Bl之内.4.3 袅面转滁4.3.1 技术要求晶体盒零部件的镀涂层表面应光亮清洁傻涂层表面的划伤不应暴露底镀层、基材金属或曲登镶涂垓厚度需在详细规柩规定或客户图纸要求的位圉内.4.3.2 试畛方法在明亮光线下,用至少IO倍放大慢或影像仪检食惊涂层外观质量,镶涂层厚度按照GB/T16921-2005规定的方法测4.4 绝缘电阻4.4.1 技术要求绝缘电阻应不小于10'n.4.4.2 试验方法除非详细规范另有规定绝缘电阻应使用（100±15）V直流电压进行测SL电压施加在,与外壳绝缘的各引出端；彼此更绿并连接在一起的引出端与外壳的金属件（若存在）间.进行本试验时，外无上不应留有前面试验的任何湿气.施加电压后若谟数稳定保持53,则立即记录数值;若读数不稳定，则测量时间为60s.4.5 可爆性4.5.1 技术要求晶体盒的引出端按4.5.2试勃后引出端浸铮表面至少有95%以上面积覆就新鲜、光滑连续的焊料,其余5%的表面允许存在气泡和凹坑,但不应集中在一处.裸露基体金属或浸锦区域未厦第新的锡层表明可爆性不好.4.5.2 试验方法按照IEC60068-2-20,2021中的TaM验方法I进行试验，引出端不做加速老化。4.6 引出端强度4.6.1 技术要求晶体盒的引出端应能承受4.6.2适用的试验以及详细规疮中所规定的施加力的作用.试验后引出端和晶体盒结合处应无松动和裂纹、破损等可见损伤，引出端应无损伤和断裂.4.6.2 试畛方法4.6.2.1 通则除具有三个以上引出端的试验样品应按照详细规柩规定的每个试验样品受试引出靖的数目外应在全部引出端上进行M验.应保证送验样品所有的引出熠经受试验的概率相同.试验后，在明亮光线下使用10倍或以上显M债检查.4.6.2.2 拉力试验和推力送险本试验适用于各种类蟹的引出端.8）对于线状引出端（WI戴面、带状或签状），引出端应按GB/T2423.602008中试验UaN拉力）和试验UaJ推力）的规定进行,除非详细规范另有规定质融负荷为，线状、带状（惮接式）引出端：10N拉力，施加时间（10±DSi签状插入式）引出端：2ON拉力，施加时间（1O±Dsi签状（插人式）引出端：20N推力.施加时间（10±1）s.b）对于表面贴装元器件的无引线引出端（金属煤盘）引出端应按GB/T2423.60-2008中试验Ue的安装方法,将直径为0.3mm的皱牖铜线焊接于金属焊盘上.使用拉力计沿垂直于引出端的焊盘平面方向，匀速施加拉力至3N后保持拉力（10士1）s,观察婢盘是否脱落或分层.4.6.2.3 弯曲试验4.6.2.3.1 本试验仅适用于可弯曲的线状引出引出端应按GB/T2423.6O-28中试验UM弯曲）的规定进行,除非详细规范另有规定，施加的力应限制在距石英晶体元件本体（25±O5）mm处产生弯曲，所加质总负荷为5N,弯曲次数为3次.对于切槽插针式的引出端用任何方便的方法固定或夹索基座，使用图1所示弯曲工具穹曲插针切槽段以外的引出端部分.用弯曲工具将插针沿一个方向弯曲15士2,接着沿相反方向穹曲30±2.再向起始位置弯曲15±2°结束.每个方向上的弯曲速度约为5（”s.为保证弯曲在切槽部位最先出现，可将一有两个插针孔的单板放置在插针上部，读垫板的厚度可达到包括插针切槽段的一部分.图1线状引出露弯曲试验工具<6.2.3.2本试验仅适用于无引线引出端（金属焊盘）产品.按GB/T2423.60-2008中试验Uel的方法将晶体盒焊在晶板中央.除非另有规定，本试验使用图2所示的弯曲装置，压头以1士0.5）mm/s的速度在基板背面中央均匀向下用力，使弯曲=D最大不超过3mm,保持时间（5士1）s试验后，目检炸盘是否虚焊、脱落或分层陶登晶体盒不应出现裂纹.标引序号说明，1 试M前的看板,2鼻体盒，3Wfti4支座，5成龄期间的基板，6压头.图2无引线引出"I暗曲试验工具4.7 抗折强度4.7.1 技术要求本试验仅适用于基体材料主要为气化但网融的晶体盒，其基体材料的抗折强度技术要求如表】所示.表1陶姿晶体盒茸体材料抗折强度技术要求材料90%K化都爱95%融化但登99%氧化的费99.5%氧化用鹿抗折强度>245MPa>280MPa>300MPa>300MPa4.7.2试验方法ftGB/T55932015中抗折强度的试验方法进行.4.8 温度冲击4.8.1 技术要求4.8.1.1 金属Q体盒金属晶体盒的M座组按4.8.2.1方法试验后，玻璃牛部件及玻璃封接处应无贯穿性裂纹.其绝缘电阻应不小于10'.4.8.1.2 玻璃晶体管玻璃晶体盒的玻璃壳和玻璃芯柱按4.8.2.2方法试验后，玻璃零部件应无贯穿性裂钗和炸裂现象4.8.1.3 制安晶体盒陶堂晶体盒按4.8.2.3方法试验后,陶堂零部件不应出现开裂、分层等机械缺陷或破坏，且满足4.9密封的要求.4.8.2 试验方法4.8.2.1 金属晶体盒将星座组浸入100千C的液体助饵剂中至少30s然后浸入215ri的熔融理锡中至少10s,移除后立即抖掉婵锦.待基座蛆冷却到室温，再将基座组彻底进行清洗,干燥.在正常大气条件下恢复1h2h后检查外观,按黑4.4.2测量绝缘电阻4.8.2.2 玻璃晶体食将玻璃壳及玻璃芯柱浸入（Ioo±5）IC沸水（15±Ds,然后立即投入到（0±5）IC冰水中（5±1）s水槽容枳要足够大,不能明显影响试验水温的保持.4.8.2.3 陶姿晶体盒«cGB/T2423.222012中试验Na的方法进行，
