从沙子到芯片.docx

人沙子到芯片：且看处理i是总样炼成的(转载)(2010-01-1518:44:44)转载标签：分类：转栽光刻胶晶圆晶体管掩模沙子it沙子原料体英）、硅住、晶小光刻（平版印刷）、俅刻、窝子注入、金I1.祝取、金I1.层、互连、与切割、核心封装、等级潴试、包装上FromSandtoSi1.icon-theMakingofaChipWyDrivers.con5励之东后的沙子（尤其是石英）量多包WyDriverscon电子级硅(EGS)*均每一百万个硅原子中多只硅疑单晶硅MyDrivericon憧妁1第一阶段合影硅院切ByDriVer;con3=晶圆*实上，Intd自己并不生产这料晶圆，而是从第三方半导体企业那里干购买成品，然后利用自己的生产线进一步加其次阶段合影从沙子到芯片：且看处理器是怎样薛成的驱动之家原创I作者：上方文Q编辑:上方文Q2009-07-0903:08:44132953人阅读投递MyDrivw;con3励"光刻胶(PhotOResist)：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种，晶圆旋转可以让光刻胶铺的特别薄、特别平。KyDriverscon3=光刻：光刻胶层随后透过推模(MaskMft光在紫外线(UV)之下，变得可溶，期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变更。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案C一般来说，在晶圆上得到的电路图案是掩模上图案的四分之一。WyDriverscon光刻：由此进入50-200纳米尺寸的晶体管级别。一-块晶圆上可以切割出数百个处理器，不过从这里起先把视野缩小到其中一个上，展示如何制作晶体管等部件。晶体管相当于开关，限制着电流的方向。现在的晶体管已经如此之小，一个针头上就能放下大约3000万个。HyDriverscon3BSi溶解光刻JR：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，消除后留下的图案和掩模上的一样CRyDrivtrscon3励之密蚀刻：运用化学物质溶解掉暴砺出来的晶部分，而剩下的光刻胶爱护着不应当蚀刻的部分。清除光刻JR：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部消除后就可以看到设计好的电路图案“WyDriverscon光刻皎：再次浇上光刻胶（蓝色部分），然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来爱护不会离子注入的那部分材料CWyDriverscon离子注入(IOnImPIantaticm)：在真空系统中，用经过加速的、要掺杂的原子的离子照耀(注入)固体材料，从而在被注入的区域形成特别的注入层,并变更这些区域的硅的导电性C经过电场加速后，注入的离子流的速度可以超过30万千米每小时清除光刻胶：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域（绿色部分）也已掺杂，注入r不同的原子。留意这时候的绿色和之前已经有所不同。第五阶段合影WyDrivarscon3B之券晶体管就缩：至此，晶体管已经基本完成。在绝缘材（M红色）上蚀刻出三个孔洞，并填充铜，以便和其它晶体管互连。WyDriv4I-Scon3励次电筱：在晶网上电镀层硫酸铜，将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极（阳极）走向负极（阴极）。WyDriverscon铜层：电镀完成后，铜离子沉积在晶网表面，形成个薄薄的铜层。第六阶段合影WyDriverscon抛光：将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶网表面。ByDriv4rscon3购"金属层：晶体管级别，六个晶体管的组合，大约500纳米。在不同晶体管之间形成芨合互连金属层，具体布局取决于相应处理器所须要的不同功能性。芯片表面看起来异样平滑，但事实上可能包含20多层困难的电路,放大之后可以看到极其困难的电路网络，形如将来派的多层高速马路系统。第七阶段合影切片(SiiCing)WyDriverscon第八阶段合影MyDriv*rscon3励=第九阶段合影等级调ByDriv4I-Icon3励"等售HyDrivarscon第十阶段合影